RELATIONSHIP BETWEEN JUNCTION RADIUS AND REVERSE LEAKAGE OF SILICIDE SCHOTTKY-BARRIER DIODES

被引：6
作者：
DROBNY, VF
机构：
来源：
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1984年 / 31卷 / 07期
关键词：
D O I：
10.1109/T-ED.1984.21627
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：895 / 899
页数：5
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共 7 条
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