EVIDENCE FOR ROOM-TEMPERATURE TUNNELING RECOMBINATION IN AMORPHOUS-SILICON

被引：4

作者：

DERSCH, H

AMER, NM

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-3093(85)90733-1

中图分类号：

TQ174 [陶瓷工业]; TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

页码：615 / 618

页数：4

共 6 条

[1] A NOVEL METHOD FOR THE STUDY OF OPTICAL-PROPERTIES OF SURFACES [J].

AMER, NM ;

OLMSTEAD, MA .

DERSCH, H ;

SCHWEITZER, L ;

STUKE, J .

PHYSICAL REVIEW B, 1983, 28 (08) :4678-4684

[3]

DERSCH H, 1985, B AM PHYS SOC, V30, P574

[4]

DERSCH H, APPL PHYS LETT

OLMSTEAD, MA ;

AMER, NM ;

KOHN, S ;

FOURNIER, D ;

BOCCARA, AC .

APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 1983, 32 (03) :141-154

SPEAR, WE ;

STEEMERS, HL .