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SELECTIVE DEPOSITION OF GAAS AND ALXGA1-XAS BY LASER ENHANCED METALORGANIC CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
被引:0
作者
:
EDGAR, JH
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0
机构:
UNIV FLORIDA,DEPT CHEM ENGN,GAINESVILLE,FL 32611
UNIV FLORIDA,DEPT CHEM ENGN,GAINESVILLE,FL 32611
EDGAR, JH
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1
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CHANG, SS
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UNIV FLORIDA,DEPT CHEM ENGN,GAINESVILLE,FL 32611
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CHANG, SS
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]
ANDERSON, TJ
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UNIV FLORIDA,DEPT CHEM ENGN,GAINESVILLE,FL 32611
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ANDERSON, TJ
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1
]
机构
:
[1]
UNIV FLORIDA,DEPT CHEM ENGN,GAINESVILLE,FL 32611
来源
:
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY
|
1987年
/ 134卷
/ 8B期
关键词
:
D O I
:
暂无
中图分类号
:
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
:
081704 ;
摘要
:
引用
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页码:C433 / C434
页数:2
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