MULTIWAFER PLASMA ASSISTED OXIDATION OF SI AT TEMPERATURES BELOW 800-DEGREES-C

被引：0

作者：

GULLY, JS

WILLIAMS, CK

REISMAN, A

机构：

[1] N CAROLINA STATE UNIV,DEPT ELECT & COMP ENGN,RALEIGH,NC 27695

[2] MICROELECTR CTR N CAROLINA,RES TRIANGLE PK,NC 27709

来源：

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS | 1987年 / 16卷 / 04期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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