GAINAS PIN PHOTODIODES GROWN ON SILICON SUBSTRATES FOR 1.55 MU-M DETECTION

被引：10

作者：

HODSON, PD

BRADLEY, RR

RIFFAT, JR

JOYCE, TB

WALLIS, RH

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1987年 / 23卷 / 20期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19870764

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

2

引用

收藏

页码：1094 / 1095

页数：2

相关论文

共 2 条

[1] LOW-LEAKAGE INGAAS PHOTODIODES GROWN ON GAAS SUBSTRATES USING A GRADED STRAINED-LAYER SUPERLATTICE [J].

HODSON, PD ;

WALLIS, RH ;

DAVIES, JI .

ELECTRONICS LETTERS, 1987, 23 (06) :273-275

[2] MBE GROWTH OF GA1-XINXAS ALLOY ON SI SUBSTRATE [J].

OE, K ;

TAKEUCHI, H .

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 1987, 26 (02) :L120-L122