REDUCED HOT-ELECTRON EFFECTS IN MOSFETS WITH AN OPTIMIZED LDD STRUCTURE

被引：11
作者：
BAGLEE, DA
DUVVURY, C
机构：
来源：
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1984年 / 5卷 / 10期
关键词：
D O I：
10.1109/EDL.1984.25959
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：389 / 391
页数：3
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共 4 条
[1]  
BAGLEE DA, UNPUB T ELECTRON DEV
[2]   AN ANALYTICAL METHOD FOR DETERMINING INTRINSIC DRAIN SOURCE RESISTANCE OF LIGHTLY DOPED DRAIN (LDD) DEVICES [J].
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