SUBTHRESHOLD ENERGY ELECTRON-BEAM ANNEALING OF TIN-IMPLANTED SILICON

被引：1

作者：

OAK, AM ^{[1
]}

VAVILOV, VS ^{[1
]}

CHUKICHEV, MV ^{[1
]}

SPINEL, VS ^{[1
]}

机构：

[1] MV LOMONOSOV STATE UNIV,MOSCOW 117234,USSR

来源：

RADIATION EFFECTS LETTERS | 1983年 / 86卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1080/01422448308209665

中图分类号：

TL [原子能技术]; O571 [原子核物理学];

学科分类号：

0827 ; 082701 ;

摘要：

引用

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页数：5

共 11 条

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