CHARGE-LIMITED DOMAINS IN GALLIUM-ARSENIDE AVALANCHE-DIODES

被引：12

作者：

CULSHAW, B ^{[1
]}

BLAKEY, PA ^{[1
]}

GIBLIN, RA ^{[1
]}

机构：

[1] UCL, DEPT ELECTR & ELECT ENGN, GOWER ST, LONDON WC1, ENGLAND

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1975年 / 11卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19750078

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：102 / 104

页数：3

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共 5 条

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