ELECTROABSORPTION ON ROOM-TEMPERATURE EXCITONS IN INGAAS/INGAALAS MULTIPLE QUANTUM-WELL STRUCTURES

被引：0

作者：

WAKITA, K

KAWAMURA, Y

YOSHIKUNI, Y

ASAHI, H

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1985年 / 21卷 / 08期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：339 / 340

页数：2

相关论文

共 4 条

[1] ELECTRO-ABSORPTION BY STARK-EFFECT ON ROOM-TEMPERATURE EXCITONS IN GAAS/GAALAS MULTIPLE QUANTUM WELL STRUCTURES [J].

CHEMLA, DS ;

DAMEN, TC ;

MILLER, DAB ;

GOSSARD, AC ;

WIEGMANN, W .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1983, 42 (10) :864-866

[2]

IWAMURA H, 1982, 2ND P INT S MBE CST, P47

[3] INGAAS/INGAALAS/INALAS/INP SCH-MQW LASER-DIODES GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY [J].

KAWAMURA, Y ;

ASAHI, H ;

WAKITA, K .

ELECTRONICS LETTERS, 1984, 20 (11) :459-460

[4] HIGH-SPEED OPTICAL MODULATION WITH GAAS/GAALAS QUANTUM WELLS IN A P-I-N-DIODE STRUCTURE [J].

WOOD, TH ;

BURRUS, CA ;

MILLER, DAB ;

CHEMLA, DS ;

DAMEN, TC ;

GOSSARD, AC ;

WIEGMANN, W .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1984, 44 (01) :16-18