EFFECT OF SURFACE PROPERTIES ON N-TYPE GAAS-NI AND GAAS-AL SCHOTTKY DIODES

被引：4

作者：

PATWARI, AM ^{[1
]}

HARTNAGEL, HL ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV NEWCASTLE,DEPT ELECT & ELECTR ENGN,MERZ LABS,NEWCASTLE UPON TYNE,ENGLAND

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1974年 / 26卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2210260209

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

收藏

页码：469 / 475

页数：7

相关论文

共 15 条

[11] PHYSICS OF SCHOTTKY BARRIERS
RHODERICK, EH
[J]. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 1970, 3 (08) : 1153 - +
[12] BARRIER HEIGHT STUDIES ON METAL-SEMICONDUCTOR SYSTEMS
SPITZER, WG
MEAD, CA
[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1963, 34 (10) : 3061 - +
[13] DIFFUSION OF HOT AND COLD ELECTRONS IN SEMICONDUCTOR BARRIERS
STRATTON, R
[J]. PHYSICAL REVIEW, 1962, 126 (06): : 2002 - &
[14] SZE SM, 1969, PHYSICS SEMICONDUCTO
[15] SURFACE EFFECTS ON METAL-SILICON CONTACTS
YU, AYC
SNOW, EH
[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1968, 39 (07) : 3008 - +