LOCAL-OSCILLATOR-INDUCED NOISE IN GAAS SCHOTTKY MIXER DIODES

被引：6

作者：

MATTAUCH, RJ

FEI, FS

机构：

[1] UNIV VIRGINIA,CHARLOTTESVILLE,VA 22901

[2] HEWLETT PACKARD CO,LOVELAND,CO 80537

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19770017

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：22 / 23

页数：2

共 8 条

[1]

BAECHTOLD W, 1972, IEEE T ED, V9, P674

[2]

FLERI OA, 1973, IEEE T MICROWAVE THE, V21, P39

[3]

KERR AR, 1975, MAY IEEE GMTT INT MI

[4]

KERR AR, 1975, OCT USNC URSI IEEE M

[5] FIELD AND THERMIONIC-FIELD EMISSION IN SCHOTTKY BARRIERS [J].

PADOVANI, FA ;

STRATTON, R .

REES, HD .

[7] UNIFIED THEORY OF HIGH-FREQUENCY NOISE IN SCHOTTKY BARRIERS [J].

VIOLA, TJ ;

MATTAUCH, RJ .

WEINREB, S ;

KERR, AR .