USE OF LOW-TEMPERATURE DEPOSITED SILICON DIOXIDE FILMS AS DIFFUSION MASKS IN GAAS

被引：27

作者：

ING, SW

DAVERN, W

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2426047

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：120 / 122

页数：3

共 6 条

[1] LOW-TEMPERATURE DEPOSITION OF SILICON OXIDE FILMS [J].

ALT, LL ;

ING, SW ;

LAENDLE, KW .

[2] METAL PRECIPITATES IN SILICON P-N JUNCTIONS [J].

GOETZBERGER, A ;

SHOCKLEY, W .

[3]

KRESSEL H, 1962, P IRE, V50, P2493

[4]

MINDEN HJ, 1962, J ELECTROCHEM SOC, V8, P733

SAH, CT ;

NOYCE, RN ;

SHOCKLEY, W .

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF RADIO ENGINEERS, 1957, 45 (09) :1228-1243

[6] SURFACE MASKING IN GALLIUM ARSENIDE DURING DIFFUSION [J].

YEH, TH .