THE STATE OF OXYGEN AND ITS INTERACTION WITH SILICON IMPURITY IN GAAS

被引：1
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作者：
REZNITCHENKO, MF
BORISOVA, LA
SAPRIKIN, AI
机构：
来源：
MATERIALS RESEARCH BULLETIN | 1986年 / 21卷 / 01期
关键词：
D O I：
10.1016/0025-5408(86)90032-2
中图分类号：
T [工业技术];
学科分类号：
08 ;
摘要：
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页码：77 / 84
页数：8
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