FORMATION OF HIGH ASYMMETRIC OXIDE TUNNELLING BARRIERS ON NIOBIUM AND TANTALUM

被引:5
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作者
HAHN, A
BRUNNER, M
EKRUT, H
机构
关键词
D O I
10.1016/0040-6090(83)90089-5
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
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页数:10
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