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EFFECTS OF STOICHIOMETRY ON DEEP LEVELS IN MOVPE GAP
被引：11
作者：
YANG, XZ
SAMUELSON, L
GRIMMEISS, HG
OMLING, P
机构：
关键词：
D O I：
10.1088/0268-1242/3/5/012
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页码：488 / 493
页数：6
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