GAAS PERMEABLE BASE TRANSISTORS FABRICATED USING ORGANOMETALLIC CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION

被引：3

作者：

NICHOLS, KB ^{[1
]}

GALE, RP ^{[1
]}

HOLLIS, MA ^{[1
]}

LINCOLN, GA ^{[1
]}

BOZLER, CO ^{[1
]}

机构：

[1] MIT,LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1984年 / 31卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1984.21846

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：1969 / 1970

页数：2

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共 1 条

[1] MILLIMETER-WAVELENGTH GAAS PERMEABLE BASE TRANSISTORS [J].

ALLEY, GD ;

BOZLER, CO ;

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FLANDERS, DC ;

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IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1982, 29 (10) :1708-1708