AIRBRIDGE GATE FET FOR GAAS MONOLITHIC CIRCUITS

被引：1

作者：

BASTIDA, EM ^{[1
]}

DONZELLI, G ^{[1
]}

机构：

[1] TELETTRA,I-20059 VIMERCATE,ITALY

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES | 1985年 / 33卷 / 12期

关键词：

MICROWAVE FET AMPLIFIERS;

D O I：

10.1109/TMTT.1985.1133261

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：1585 / 1590

页数：6

相关论文

共 5 条

[1]

BASTIDA EM, 1982, 1982 MICR MILL WAV M, P11

[2]

BASTIDA EM, 1963, 13TH P EUR MICR C NU, P357

[3]

DILORENZO JV, 1982, GAAS FET PRINCIPLE T, P151

[4] OPTIMAL NOISE-FIGURE OF MICROWAVE GAAS-MESFETS [J].

FUKUI, H .

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1979, 26 (07) :1032-1037

[5]

Pucel RA, 1975, ADV ELECTRONICS ELEC, V38, P195, DOI DOI 10.1016/S0065-2539(08)61205-6