3-STEP ANNEALS AND OXYGEN PRECIPITATION IN HIGH-CARBON CZ SILICON

被引：0

作者：

KUNG, CY ^{[1
]}

FORBES, L ^{[1
]}

PENG, JD ^{[1
]}

机构：

[1] FAIRCHILD SEMICOND,DIV SILICON MAT,HEALDSBURG,CA 95448

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1983年 / 130卷 / 03期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页码：C90 / C91

页数：2

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