CALCULATED THRESHOLD-VOLTAGE CHARACTERISTICS OF AN XMOS TRANSISTOR HAVING AN ADDITIONAL BOTTOM GATE

被引：245
作者：
SEKIGAWA, T
HAYASHI, Y
机构：
来源：
SOLID-STATE ELECTRONICS | 1984年 / 27卷 / 8-9期
关键词：
D O I：
10.1016/0038-1101(84)90036-4
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
引用
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页码：827 / 828
页数：2
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共 1 条
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