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REACTIVE ION ETCHING OF COPPER-FILMS IN SICL4 AND N2 MIXTURE
被引:32
作者
:
OHNO, K
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OHNO, K
SATO, M
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SATO, M
ARITA, Y
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ARITA, Y
机构
:
来源
:
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS
|
1989年
/ 28卷
/ 06期
关键词
:
D O I
:
10.1143/JJAP.28.L1070
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
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页码:L1070 / L1072
页数:3
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THE EFFECTS OF MIXING N-2 IN CCL4 ON ALUMINUM REACTIVE ION ETCHING
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