CHARGE EFFECTS IN METAL-INSULATOR SEMICONDUCTOR STRUCTURES BASED ON INDIUM-ANTIMONIDE

被引：0
作者：
GURTOV, VA
IVASHENKOV, ON
KURYSHEV, GL
机构：
来源：
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1986年 / 20卷 / 03期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号：
070205 ;
摘要：
引用
收藏
页码：261 / 263
页数：3
相关论文
共 8 条
  • [1] BELYI VI, 1982, 382 AC SCI USSR I IN
  • [2] GURTOV VA, 1984, INFLUENCE IONIZING R, V2
  • [3] GURTOV VA, 1984, ELECTRON PROCESSES M
  • [4] GURTOV VA, 1984, POVERKHNOST, P114
  • [5] KURYSHEV GL, 1981, SOV PHYS SEMICOND+, V15, P374
  • [6] RZHANOV AV, 1978, PROPERTIES METAL INS
  • [7] VAINER BG, 1979, SOV PHYS SEMICOND+, V13, P432
  • [8] VAINER BG, 1983, 283 AC SCI USSR I SE
1