CHARGE EFFECTS IN METAL-INSULATOR SEMICONDUCTOR STRUCTURES BASED ON INDIUM-ANTIMONIDE

被引：0

作者：

GURTOV, VA

IVASHENKOV, ON

KURYSHEV, GL

机构：

来源：

SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1986年 / 20卷 / 03期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

页码：261 / 263

页数：3

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