HIGH-TEMPERATURE OPERATION OF SILICON-CARBIDE MOSFET

被引：18

作者：

KONDO, Y

TAKAHASHI, T

ISHII, K

HAYASHI, Y

SAKUMA, E

MISAWA, S

DAIMON, H

YAMANAKA, M

YOSHIDA, S

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS | 1987年 / 26卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.26.310

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：310 / 311

页数：2

共 4 条

[1]

BEASOM JD, 1981, 1981 INT EL DEV M NE, P350

[2] EXPERIMENTAL 3C-SIC MOSFET [J].

KONDO, Y ;

TAKAHASHI, T ;

ISHII, K ;

HAYASHI, Y ;

SAKUMA, E ;

MISAWA, S ;

DAIMON, H ;

YAMANAKA, M ;

YOSHIDA, S .

[3]

NISHINO S, 1984, 16TH INT C SOL STAT, P8

SASAKI, K ;

SAKUMA, E ;

MISAWA, S ;

YOSHIDA, S ;

GONDA, S .