MODELING OF AN ION-IMPLANTED SILICON-GATE DEPLETION-MODE IGFET

被引：56

作者：

HUANG, JST ^{[1
]}

TAYLOR, GW ^{[1
]}

机构：

[1] HONEYWELL INC,SOLID STATE ELECTR CTR,PLYMOUTH,MN 55441

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1975.18259

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：995 / 1001

页数：7

共 5 条

[1] DEPLETION-MODE IGFET MADE BY DEEP ION-IMPLANTATION [J].

EDWARDS, JR ;

MARR, G .

[2] CHARACTERISTICS OF A DEPLETION-TYPE IGFET [J].

HUANG, JST .

MASUHARA, T ;

NAGATA, M ;

HASHIMOTO, N .

[4]

REDDI VGK, 1968, IEEE T ELECTRON DEV, VED15, P151

[5]

YAU LD, 1974, SOLID STATE ELECTRON, V17, P1059, DOI 10.1016/0038-1101(74)90145-2