0.15 MU-M CHANNEL-LENGTH MOSFETS FABRICATED USING E-BEAM LITHOGRAPHY

被引：18

作者：

FICHTNER, W

WATTS, RK

FRASER, DB

JOHNSTON, RL

SZE, SM

机构：

来源：

ELECTRON DEVICE LETTERS | 1982年 / 3卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1982.25618

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：412 / 414

页数：3

共 5 条

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FICHTNER, W ;

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