INFLUENCE OF FLOATING SUBSTRATE POTENTIAL ON CHARACTERISTICS OF ESFI MOS-TRANSISTORS

被引：61

作者：

TIHANYI, J ^{[1
]}

SCHLOTTERER, H ^{[1
]}

机构：

[1] SIEMENS AG,RES LABS,MUNICH,FED REP GER

来源：

SOLID-STATE ELECTRONICS | 1975年 / 18卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(75)90083-0

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：309 / 314

页数：6

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共 7 条

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