THRESHOLD VOLTAGE ADJUSTABLE PROCESS FOR SELF-ALIGNED GATE GAAS JFET

被引：0

作者：

TIKU, SK

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1985年 / 21卷 / 23期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19850775

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：1091 / 1093

页数：3

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共 2 条

[1] Kato Y., 1982, GaAs IC Symposium. IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium. Technical Digest 1982, P187
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