A GATE PROBE METHOD OF DETERMINING PARASITIC RESISTANCE IN MESFETS

被引：29
作者：
HOLMSTROM, RP
BLOSS, WL
CHI, JY
机构：
来源：
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1986年 / 7卷 / 07期
关键词：
D O I：
10.1109/EDL.1986.26419
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
引用
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页码：410 / 412
页数：3
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共 4 条
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