LOCATION OF SOURCE OF RECOMBINATION RADIATION IN GA(AS1-XPX) P-N JUNCTIONS BY ELECTRON BOMBARDMENT

被引：7

作者：

WOLFE, CM

SIRKIS, MD

NUESE, CJ

HOLONYAK, N

GADDY, OL

PURL, OT

KUNZ, WE

机构：

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1965年 / 36卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1714416

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：2087 / &

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共 2 条

[1] RECOMBINATION SCHEME + INTRINSIC GAP VARIATION IN GAAS1-XPX SEMICONDUCTORS FROM ELECTRON BEAM + P-N DIODE EXCITATION (77 + 300 DEGREES K E) [J].

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APPLIED PHYSICS LETTERS, 1964, 5 (07) :144-&

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