COMPENSATED-SURFACE OXIDE-PASSIVATED SILICON JUNCTION RADIATION DETECTORS

被引：5
作者：
HANSEN, WL
LOTHROP, RP
GOULDING, FS
机构：
来源：
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1963年 / 34卷 / 05期
关键词：
D O I：
10.1063/1.1729688
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
收藏
页码：1570 / &
相关论文
共 4 条
[1]  
DABBS JWT, 1961, SEMICONDUCTOR NUCLEA, P871
[2]  
FOX RJ, 1962, IRE T NUCL SCI, VNS9, P213
[3]  
GIBSON WM, 1962, B AM PHYS SOC, V7, P558
[4]   LEAKAGE CURRENT IN SEMICONDUCTOR JUNCTION RADIATION DETECTORS AND ITS INFLUENCE ON ENERGY-RESOLUTION CHARACTERISTICS [J].
GOULDING, FS ;
HANSEN, WL .
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS, 1961, 12 (02) :249-262
1