ZERO-PHONON LINE ASSOCIATED WITH THE MIDGAP LEVEL EL2 IN GAAS - CORRELATION WITH THE ASGA ANTISITE DEFECT

被引：18

作者：

TSUKADA, N ^{[1
]}

KIKUTA, T ^{[1
]}

ISHIDA, K ^{[1
]}

机构：

[1] OPTOELECTR JOINT RES LAB,KAWASAKI 211,JAPAN

来源：

PHYSICAL REVIEW B | 1986年 / 33卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevB.33.8859

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：8859 / 8862

页数：4

共 24 条

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