ANOMALOUS TEMPERATURE-DEPENDENCE OF THE EFFECTIVE BIMOLECULAR RECOMBINATION AND THE EXPLANATION OF LOW-T0 IN 1.3MU-M INGAASP LIGHT-SOURCES

被引：2

|

作者：

SU, CB ^{[1
]}

OLSHANSKY, R ^{[1
]}

POWAZINIK, W ^{[1
]}

MANNING, J ^{[1
]}

机构：

[1] GTE LABS INC,WALTHAM,MA 02154

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1983年 / 30卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1983.21385

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：1594 / 1595

页数：2

相关论文

共 1 条

[1] TEMPERATURE-DEPENDENCE OF CARRIER LIFETIME AND AUGER RECOMBINATION IN 1.3 MU-M INGAASP
SERMAGE, B
HERITAGE, JP
DUTTA, NK
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1985, 57 (12) : 5443 - 5449