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THE BOLTZMANN RESISTIVITY OF HEAVILY DOPED SEMICONDUCTORS - DEPENDENCE ON HOW THE SCATTERER IS EMBEDDED
被引:0
|
作者
:
ENGSTROM, L
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
ENGSTROM, L
机构
:
来源
:
JOURNAL OF PHYSICS C-SOLID STATE PHYSICS
|
1984年
/ 17卷
/ 28期
关键词
:
D O I
:
10.1088/0022-3719/17/28/015
中图分类号
:
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号
:
070205 ;
摘要
:
引用
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页码:4989 / 4999
页数:11
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