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THE BOLTZMANN RESISTIVITY OF HEAVILY DOPED SEMICONDUCTORS - DEPENDENCE ON HOW THE SCATTERER IS EMBEDDED
被引：0
|作者：
ENGSTROM, L
机构：
来源：
JOURNAL OF PHYSICS C-SOLID STATE PHYSICS
|
1984年
/
17卷
/
28期
关键词：
D O I：
10.1088/0022-3719/17/28/015
中图分类号：
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号：
070205 ;
摘要：
引用
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页码：4989 / 4999
页数：11
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