IMPROVEMENT OF MINORITY CARRIER LIFETIME IN SILICON DIODES

被引：0

作者：

MURRAY, LA

KRESSEL, H

机构：

来源：

ELECTROCHEMICAL TECHNOLOGY | 1967年 / 5卷 / 7-8期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：406 / &

共 10 条

[1]

BOLTAKS BI, 1958, ZH TEKH FIZ, V28, P679

[2] METAL PRECIPITATES IN SILICON P-N JUNCTIONS [J].

GOETZBERGER, A ;

SHOCKLEY, W .

[3] GETTERING OF METALLIC IMPURITIES FROM PLANAR SILICON DIODES [J].

ING, SW ;

MORRISON, RE ;

ALT, LL ;

ALDRICH, RW .

[4]

KANG KD, 1963, AF196283803 FIN REP

[5]

KUNO HJ, 1964, IEEE T ELECTRON DEVI, VED11, P8

[6]

MACDONALD AL, 1958, APR EL SOC M NEW YOR

[7]

NIJLAND LM, 1957, J ELECTRON CONTR, V3, P391

[8]

SILVERMAN SS, 1957, OCT EL SOC M BUFF

[9] SOLUBILITY AND DIFFUSIVITY OF GOLD, IRON, AND COPPER IN SILICON [J].

STRUTHERS, JD .

[10]

TOKUMARU Y, 1963, JPN J APPL PHYS, V2, P542