ORIGIN OF INCREASE IN SCHOTTKY-BARRIER HEIGHT WITH INTERFACIAL OXIDE THICKNESS

被引：32

作者：

PECKERAR, M ^{[1
]}

机构：

[1] USN,RES LAB,WASHINGTON,DC 20375

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1663106

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：4652 / 4652

页数：1

共 4 条

[1] SURFACE STATES AND BARRIER HEIGHT OF METAL-SEMICONDUCTOR SYSTEMS [J].

COWLEY, AM ;

SZE, SM .

[2]

Grove A S, 1967, PHYS TECHNOLOGY SEMI

PRUNIAUX, BR ;

ADAMS, AC .

WEI, CH ;

YEE, SS .