LPCVD TIN AS BARRIER LAYER IN VLSI

被引：50

作者：

YOKOYAMA, N

HINODE, K

HOMMA, Y

机构：

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1989年 / 136卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1149/1.2096764

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

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页码：882 / 883

页数：2

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