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CHARACTERISTICS OF SCHOTTKY BARRIERS ON N-TYPE AND P-TYPE IMPLANTED SILICON
被引：0
作者：
WILSON, RG
[1
]
JAMBA, DM
[1
]
机构：
[1] HUGHES RES LABS,MALIBU,CA 90265
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号：
081704 ;
摘要：
引用
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页码：C275 / C275
页数：1
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