GAAS FIELD-EFFECT TRANSISTORS BY SELECTIVE SULFUR-ION IMPLANTATION

被引：6

作者：

MIZUTANI, T ^{[1
]}

ISHIDA, S ^{[1
]}

FUJIMOTO, M ^{[1
]}

机构：

[1] NIPPON TELEG & TEL PUBL CORP,ELECT COMMUN LABS,TOKYO,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19760328

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：431 / 432

页数：2

共 4 条

[1] PERFORMANCE OF SULFUR-ION-IMPLANTED GAAS FETS [J].

HIGGINS, JA ;

WELCH, BM ;

EISEN, FH ;

ROBINSON, GD .

[2] GAAS FIELD-EFFECT TRANSISTORS WITH ION-IMPLANTED CHANNELS [J].

HUNSPERGER, RG ;

HIRSCH, N .

[3] GAAS PLANAR GUNN DIGITAL DEVICES BY SULFUR-ION-IMPLANTATION [J].

MIZUTANI, T ;

KURUMADA, K .

[4] GALLIUM-ARSENIDE FIELD-EFFECT TRANSISTORS BY ION-IMPLANTATION [J].

WELCH, BM ;

EISEN, FH ;

HIGGINS, JA .