THE ELECTRICAL BEHAVIOR OF INDIVIDUAL DISLOCATIONS, SHOCKLEY PARTIALS AND STACKING-FAULT RIBBONS IN SILICON

被引：19
作者：
OURMAZD, A
WILSHAW, PR
BOOKER, GR
机构：
来源：
PHYSICA B & C | 1983年 / 116卷 / 1-3期
关键词：
D O I：
10.1016/0378-4363(83)90313-3
中图分类号：
O4 [物理学];
学科分类号：
0702 ;
摘要：
引用
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页码：600 / 605
页数：6
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共 7 条
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