DEVELOPMENT OF TEST STRUCTURES FOR SILICON PARTICLE DETECTORS

被引：2

作者：

HEIJNE, EHM ^{[1
]}

DEBUSSCHERE, I ^{[1
]}

DECLERCK, G ^{[1
]}

VANSTRAELEN, G ^{[1
]}

机构：

[1] IMEC,LEUVEN,BELGIUM

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0168-9002(87)90514-6

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

页码：325 / 332

页数：8

共 7 条

[1]

BOSIERS J, 1985, IEDM166 PAP

[2]

Ghandi S., 1977, SEMICONDUCTOR POWER, V1st

[3]

HEIJNE EHM, 1985, SPIE P, V591, P1

KEMMER, J .

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS, 1980, 169 (03) :499-502

[5]

Nicollian E. H., 1982, METAL OXIDE SEMICOND

TSOI, HY ;

ELLUL, JP ;

KING, MI ;

WHITE, JJ ;

BRADLEY, WC .

[7] CHARGE CARRIER LIFETIME MEASUREMENTS ON HIGH-PURITY SILICON [J].

VANWIJNEN, PJ ;

TENKATE, WRT .