EFFECTS OF GAS PRESSURE AND VELOCITY ON EPITAXIAL SILICON DEPOSITION BY HYDROGEN REDUCTION OF CHLOROSILANES

被引：23

作者：

BRADSHAW, SE

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1080/00207216708961546

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：381 / &

相关论文

共 5 条

[1]

BRACKEN RC, 1967, ELECTROCHEM SOC, V16, P58

BRADSHAW, SE .

[3]

GLANG R, 1962, AIME, V15, P27

[4]

STEINMAIER W, 1963, PHILIPS RES REP, V18, P75

[5] EPITAXIAL SILICON FILMS BY THE HYDROGEN REDUCTION OF SIC1 [J].

THEUERER, HC .