RAPID THERMAL-OXIDATION OF SILICON

被引：14

作者：

ANG, ST ^{[1
]}

WORTMAN, JJ ^{[1
]}

机构：

[1] N CAROLINA STATE UNIV,RALEIGH,NC 27695

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2108408

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：2361 / 2362

页数：2

相关论文

共 6 条

[1] GENERAL RELATIONSHIP FOR THERMAL OXIDATION OF SILICON [J].

DEAL, BE ;

GROVE, AS .

[2]

DEAL BE, LECTURE NOTES CEI

[3]

IRENE EA, 1978, J ELCHEM SO, V125, P1149

[4]

NARAYAN J, 1983, 41ST DEV RES C BURL

NULMAN, J ;

KRUSIUS, JP ;

GAT, A .

[6]

SHAFER SA, 1982, J VAC SCI TECHNOL, V21, P422