FIELD DISTRIBUTION AND RADIOELECTRIC EFFECT IN FOLLATED SEMICONDUCTOR STRUCTURE IN PARTIALLY FILLED WAVE-GUIDE

被引:0
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作者
KOMOV, AN
TRESHCHEV, VM
YAROVOY, GP
机构
来源
RADIOTEKHNIKA I ELEKTRONIKA | 1985年 / 30卷 / 11期
关键词
D O I
暂无
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
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页码:2114 / 2119
页数:6
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