FIELD DISTRIBUTION AND RADIOELECTRIC EFFECT IN FOLLATED SEMICONDUCTOR STRUCTURE IN PARTIALLY FILLED WAVE-GUIDE

被引：0
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作者：
KOMOV, AN
TRESHCHEV, VM
YAROVOY, GP
机构：
来源：
RADIOTEKHNIKA I ELEKTRONIKA | 1985年 / 30卷 / 11期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
引用
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页码：2114 / 2119
页数：6
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