DETERMINATION OF JUNCTION DEFECT DENSITIES, AND THE DETERMINATION BY SIMS OF IMPURITY PROFILES, USING BIPOLAR SILICON IC TEST STRUCTURES

被引：0

作者：

DRUM, CM ^{[1
]}

STEVIE, FA ^{[1
]}

机构：

[1] AT&T BELL LABS,ALLENTOWN,PA 18103

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1984年 / 131卷 / 08期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页码：C316 / C316

页数：1

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