SUPPRESSION OF THE LATERAL DIFFUSION UNDER THE GATE OF AN MOS-TRANSISTOR BY ARGON IMPLANTATION

被引：6
作者：
MARCHETAUX, JC
DOYLE, BS
BOUDOU, A
MERENDA, P
机构：
来源：
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1985年 / 32卷 / 11期
关键词：
D O I：
10.1109/T-ED.1985.22304
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
引用
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页码：2508 / 2510
页数：3
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TROUTMAN, RR .
IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, 1979, 14 (02) :383-391
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WANG, PP .
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1978, 25 (07) :779-786
[14]   CHANNEL EDGE DOPING (CED) METHOD FOR REDUCING THE SHORT-CHANNEL EFFECT [J].
YAMAUCHI, N ;
KATO, K ;
WADA, T .
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 1983, 4 (11) :406-408
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