CMOS/SOS HIGH SOFT-ERROR THRESHOLD MEMORY CELL

被引：2
作者：
HSUEH, FL
NAPOLI, LS
机构：
来源：
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE | 1985年 / 32卷 / 06期
关键词：
D O I：
10.1109/TNS.1985.4334085
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
引用
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页码：4155 / 4158
页数：4
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