LATTICE LOCATION OF PHOSPHORUS ATOMS IMPLANTED INTO SILICON

被引：4
作者：
HASEGAWA, S
ISHIWARA, H
FURUKAWA, S
SHIMIZU, T
机构：
[1] KANAZAWA UNIV,FAC TECHNOL,DEPT ELECTR,KANAZAWA 920,JAPAN
[2] TOKYO INST TECHNOL,FAC COORDINATED SCI,DEPT ELECTR & SYST,YOKOHAMA 227,JAPAN
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1976年 / 15卷 / 02期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.15.391
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：391 / 392
页数：2
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共 4 条
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