OPTIMUM CONDITIONS FOR VAPOR EPITAXY OF GAAS1-XPX WITH 0.3 LESS THAN X LESS THAN 0.5

被引：2

作者：

WU, TY ^{[1
]}

机构：

[1] GM CORP,RES LABS,WARREN,MI 48090

来源：

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH | 1974年 / 23卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(74)90083-9

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

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页码：348 / 350

页数：3

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共 4 条

[1]

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