SHAPE OF INTERBAND OPTICAL-ABSORPTION EDGE OF HEAVILY DOPED SEMICONDUCTORS

被引：0
作者：
BATYEV, EG
PUSEP, YA
SINYUKOV, MP
机构：
来源：
FIZIKA TVERDOGO TELA | 1985年 / 27卷 / 04期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号：
070205 ;
摘要：
引用
收藏
页码：1175 / 1180
页数：6
相关论文
共 6 条
[1]  
Abrikosov A.A., 1962, METODY KVANTOVOI TEO
[2]   INFRARED ABSORPTION AND VALENCE BAND IN INDIUM ANTIMONIDE [J].
GOBELI, GW ;
FAN, HY .
PHYSICAL REVIEW, 1960, 119 (02) :613-620
[3]  
NEIZVESTNYI IG, 1984, FIZ TVERD TELA+, V26, P1875
[4]  
PANKOVE IJ, 1965, PHYS REV, V140, P2059
[5]   INFLUENCE OF THE FERMI-LIQUID INTERACTION OF FREE-CARRIERS ON THE FORM OF ABSORPTION-EDGE IN SEMICONDUCTORS [J].
PUSEP, YA ;
SINYUKOV, MP .
SOLID STATE COMMUNICATIONS, 1984, 51 (10) :823-824
[6]  
Shklovskii B. I., 1979, Electronic Properties of Doped Semiconductors
1