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DIFFUSIVITY OF OXYGEN IN SILICON AT THE DONOR FORMATION TEMPERATURE
被引：170
作者：
STAVOLA, M
PATEL, JR
KIMERLING, LC
FREELAND, PE
机构：
关键词：
D O I：
10.1063/1.93731
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
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